MRF846 时间：2025/9/3 13:28:35 阅读：7

MRF846 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的高功率射频（RF）晶体管，广泛用于射频功率放大器的应用中，特别是在广播和工业加热领域。这款晶体管采用N沟道横向金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）技术，具有高效能和高可靠性的特点。MRF846 能够在较高的频率范围内运行，并提供较高的输出功率，使其成为专业射频设备设计中的重要元件。

参数

类型：N沟道LDMOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大功耗：300W
　　工作电压范围：28V
　　工作频率范围：1MHz - 500MHz
　　输出功率：100W - 300W（取决于频率和配置）
　　增益：18dB - 25dB
　　效率：60%以上
　　封装类型：TO-247
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

特性

MRF846 拥有卓越的射频性能和高功率处理能力，能够在较宽的频率范围内保持稳定的输出。其LDMOS技术提供了较高的功率增益和出色的线性度，非常适合用于多频段和宽频应用。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和较高的效率，能够在高功率条件下长时间运行而不会出现性能下降。MRF846 还具备较低的输入驻波比（VSWR），确保了信号传输的稳定性和高效性。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高功率操作时能有效降低温度，延长使用寿命。同时，MRF846 还具有较好的抗失真能力，适用于需要高质量信号放大的应用场合。其高可靠性和耐用性使其在恶劣环境中也能保持稳定运行。

应用

MRF846 主要用于高频射频功率放大器的设计，常见于广播发射机、工业加热设备、等离子体发生器、射频测试设备以及其他需要高功率射频输出的专业应用中。由于其宽频带特性和高输出功率，MRF846 也被广泛用于通信基础设施中的射频放大模块，如蜂窝基站和微波通信系统中的功率放大器部分。此外，在科研和工业领域，该晶体管还被用于实验设备和自动化控制系统中的射频能量源。