时间：2025/8/24 21:54:40
阅读：28
FQA35N50是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件设计用于高效能的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业设备。FQA35N50采用了先进的平面条状DMOS技术，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：35A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
最大功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-3P
FQA35N50具有多项优良的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为0.22Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的漏源电压额定值为500V，漏极电流可达35A，适用于中高功率电源转换系统。
此外，FQA35N50采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其最大功率耗散为200W，确保在高负载条件下仍能保持较低的温升。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境。
该MOSFET还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。其设计考虑了电磁干扰（EMI）的优化，有助于降低高频噪声，提高系统的稳定性。这些特性使FQA35N50成为理想的电源管理和功率控制器件。
FQA35N50广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、电池充电器、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备。其高耐压和大电流能力使其适用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统。此外，该MOSFET也可用于音频放大器和高频逆变器等应用，提供稳定的功率输出并减少能量损耗。
FQA35N50F, FQA32N50, FQA40N50, FQP35N50
