类型：NPN射频功率晶体管
　　最大集电极电流：15A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：1.5A
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-65°C 至 150°C
　　频率范围：100MHz 至 500MHz
　　增益：13dB @ 225MHz
　　输出功率：200W @ 225MHz

MRF843 的一大特点是其高功率输出能力，能够在高频条件下提供高达200W的输出功率，适用于各种高功率射频应用。该晶体管的增益表现优异，在225MHz时可达到13dB，使得它非常适合用于需要高增益的射频放大电路。
　　此外，MRF843 具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作。其最大功耗为200W，集电极-发射极电压为30V，能够承受较大的电压和电流冲击，确保在高功率应用中的可靠性。
　　该晶体管的频率范围为100MHz至500MHz，使其适用于多种射频通信系统，如广播发射器、无线基础设施和测试设备。MRF843 采用TO-3金属封装，提供良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。
　　其低失真特性也使其在音频和射频放大应用中表现出色，能够在高功率输出下保持信号的清晰度和完整性。

MRF843 主要应用于高功率射频放大器、广播发射器、无线通信系统、射频电源、测试与测量设备以及工业控制系统中。其高功率输出和高增益特性使其成为需要大功率射频信号放大的理想选择。
　　在广播发射器中，MRF843 可用于中波和短波广播的功率放大模块，提供稳定的高功率输出。在无线通信系统中，该晶体管可用于基站和中继站的射频功率放大器，确保信号的远距离传输和接收。
　　此外，MRF843 还广泛用于射频测试设备和实验室环境中，用于测试和验证射频系统的性能。由于其高可靠性和良好的热稳定性，MRF843 也被用于工业控制系统中的射频能量应用，如等离子体发生器和射频加热设备。

MRF843S、MRF843SR1、MRF843SR2