类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20 A
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　工作频率范围：175 MHz - 500 MHz
　　输出功率：典型值为400 W
　　增益：约18 dB
　　效率：典型值为65%
　　封装类型：TO-247
　　热阻（Rth）：约0.5°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：2:1最大
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MRF840具有多个关键特性，使其在射频功率放大器应用中表现出色。首先，它能够在高达500 MHz的频率下工作，适用于广泛的射频应用。其次，该器件具有极高的输出功率能力，典型值可达400 W，使其非常适合用于高功率射频系统。此外，MRF840具有良好的线性度和稳定性，能够在高效率下运行，典型效率值为65%，这有助于减少系统散热需求并提高整体能效。
　　MRF840的另一个显著特性是其强大的热管理能力。其热阻（Rth）约为0.5°C/W，这意味着即使在高功率操作下，也能有效散热以保持器件温度在安全范围内。这使得MRF840在高环境温度下仍能保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　此外，MRF840的输入阻抗设计使其可以直接与50Ω系统匹配，从而减少了外部匹配元件的需求，简化了电路设计。其输入驻波比（VSWR）为2:1最大，表明其良好的输入匹配性能，有助于减少信号反射并提高系统稳定性。
　　该器件还具有良好的抗过载能力和抗静电放电（ESD）性能，确保其在复杂电磁环境中仍能稳定运行。MRF840的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，而且便于安装和维护，适合用于工业和商业射频设备。

MRF840广泛应用于多个射频功率放大器领域，特别是在需要高输出功率和高效能的系统中。例如，在工业加热系统中，MRF840可用于射频能量发生器，提供稳定的高功率输出以满足加热需求。在等离子体发生器中，该器件的高功率能力和良好稳定性使其成为理想的功率放大器选择。
　　此外，MRF840也常用于射频测试设备，如信号发生器和功率放大器模块，为实验室和现场测试提供可靠的射频信号放大能力。在无线通信基础设施中，该器件可用于基站放大器模块，支持在ISM频段内的无线通信系统运行。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，MRF840也被广泛应用于医疗设备，如射频消融设备和物理治疗仪器，提供安全、高效的射频能量输出。在广播系统中，该器件可用于调频广播发射机的末级功率放大器，确保信号的高效传输。

MRF840的替代型号包括MRF843、MRF844和NTE218等。MRF843和MRF844是安森美半导体推出的类似产品，具有相近的电气特性和封装形式，适用于类似的射频功率放大器应用。NTE218则是一款由NTE Electronics提供的兼容型号，同样适用于高功率射频放大器设计。