类型：双极型功率晶体管（BJT）
　　最大集电极电流（Ic）：1.5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大功率耗散（Ptot）：30W
　　工作频率范围：高达500MHz
　　增益（hFE）：约50-250（随工作条件变化）
　　封装类型：TO-220AB
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF750的主要特性之一是其高频率响应能力，使其适用于UHF和VHF范围内的射频放大器设计。该晶体管能够在较高的频率下保持良好的增益和输出功率，同时具有较低的失真特性，使其适用于线性放大应用。此外，MRF750具有较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下正常运行，适用于需要连续工作的通信系统。
　　另一个显著特点是其高功率处理能力。MRF750可承受高达30W的功率耗散，使其适用于中高功率射频发射器和音频放大器电路。晶体管的基极-发射极结具有良好的稳定性和可靠性，确保在高增益应用中不易发生振荡或失真。
　　此外，MRF750的封装设计有助于散热，TO-220AB封装便于安装在散热片上，提高整体系统的热管理效率。这种封装还提供了良好的机械强度和电气隔离性能，适合在工业和商业应用中使用。

MRF750广泛应用于射频功率放大器、广播发射器、无线通信设备、工业射频加热系统以及高性能音频放大器。它常用于构建VHF/UHF频段的线性放大器，以及在需要高输出功率和低失真的场合。在通信系统中，MRF750可用于驱动高功率天线或作为中间放大级，提升信号的传输距离和稳定性。此外，它也适用于业余无线电（HAM Radio）设备、射频测试仪器和工业自动化系统中的射频模块。

MRF750N, MRF750T1, MRF750T1G, MRF750T1V, MRF750T1E, MRF750T1G（RoHS合规型号）