MRF630MA 时间：2025/8/20 0:09:35 阅读：22

MRF630MA是一款由NXP（恩智浦）公司生产的射频功率晶体管，主要用于高频和超高频应用中的功率放大。该器件采用硅双极晶体管技术制造，适用于广播、通信设备、工业和医疗射频设备等高功率应用场景。MRF630MA工作频率范围覆盖到VHF和UHF波段，可提供较高的输出功率和效率。

参数

类型：双极型射频功率晶体管
　　制造商：NXP Semiconductors
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：125 V
　　最大集电极电流（Ic）：1.5 A
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：金属封装，TO-220AB
　　频率范围：典型用于175 MHz 至 500 MHz
　　增益：约 10 dB（典型值）
　　输出功率：约 30 W（典型值）

特性

MRF630MA是一款高可靠性的射频功率晶体管，具有较高的功率输出能力和良好的热稳定性。其采用的硅双极技术确保了在较高频率下的良好性能，适用于需要高线性度和高效率的射频放大器设计。该器件具有良好的散热性能，可在高功率工作条件下保持稳定运行。此外，MRF630MA具有较高的抗过载能力，适合在恶劣环境下使用。
　　在设计方面，MRF630MA能够在相对宽的频率范围内提供稳定的放大性能，适合用于调频（FM）广播、高频通信设备以及工业加热设备的射频功率放大器部分。其高电压耐受能力和较高的功率处理能力，使其在各种高功率电子系统中具有广泛的应用前景。同时，该晶体管的TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种电路布局和应用需求。