时间：2025/5/13 8:44:32
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IPP50R190CE是Infineon（英飞凌）公司生产的一款MOSFET功率晶体管，采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件属于P沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载切换和电机控制等领域。它具有低导通电阻、高效率和快速开关能力等特性，适合在高频应用中使用。
型号：IPP50R190CE
类型：P-channel MOSFET
封装：TO-263-3
最大漏源电压(V_DS)：50V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：8.4A
导通电阻(R_DS(on))：190mΩ（典型值，在V_GS=-10V时）
总功耗(P_TOT)：73W
结温范围(T_J)：-55℃至+150℃
输入电容(C_iss)：380pF（典型值）
IPP50R190CE采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具备以下特点：
1. 低导通电阻：其R_DS(on)仅为190mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能：由于较低的输入电容和优化的内部结构，能够实现更快的开关速度，减少开关损耗。
3. 高可靠性：通过严格的设计和测试流程，确保器件在恶劣环境下的稳定性和耐用性。
4. 热性能优越：TO-263-3封装提供良好的散热性能，支持较高的功率输出。
5. 宽工作温度范围：可以在-55℃到+150℃的结温范围内正常工作，适应多种应用场景。
IPP50R190CE广泛用于需要高效功率管理的应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器，特别是降压转换器电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 各种工业设备和消费类电子产品的功率级设计。
IPP50R190PD, IPP50R190CP
