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MRF5S19060 发布时间 时间:2025/9/3 14:01:22 查看 阅读:7

MRF5S19060 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的射频(RF)功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术产品系列。该器件专为高功率和高频率应用设计,常见于无线通信基础设施、基站放大器和其他射频系统中。MRF5S19060 具有优异的线性度和高效率,适用于需要宽频带覆盖和高可靠性要求的应用场景。

参数

工作频率:1805-1990 MHz
  输出功率:60 W(典型值)
  增益:22 dB(典型值)
  漏极效率:40%(典型值)
  工作电压:28 V
  输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大值)
  封装类型:ABBI-7
  最大漏极电流:2.5 A
  热阻(结到壳):0.35°C/W
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

MRF5S19060 的主要特性之一是其卓越的射频性能。它能够在 1805 MHz 至 1990 MHz 频率范围内提供高达 60 W 的输出功率,适用于 GSM、CDMA、W-CDMA 和 LTE 等现代无线通信标准。该器件的增益为 22 dB,确保了信号放大的高效性,同时其漏极效率达 40%,有助于降低能耗和散热需求。
  这款 LDMOS 晶体管采用 28 V 的工作电压设计,适合大多数射频功率放大器的供电系统。输入驻波比(VSWR)的最大值为 2.5:1,表明其在不同负载条件下的稳定性良好,从而减少了对额外匹配电路的需求。MRF5S19060 还具有出色的热管理性能,其热阻(结到壳)为 0.35°C/W,确保了器件在高温环境下仍能稳定运行。
  此外,MRF5S19060 采用 ABBI-7 封装,具有紧凑的外形和良好的机械稳定性,适用于自动化装配流程。该器件在 -40°C 至 +150°C 的温度范围内工作,适应各种严苛环境条件,具备高可靠性和长寿命。这些特性使得 MRF5S19060 成为无线通信基础设施中射频功率放大器的理想选择。

应用

MRF5S19060 主要用于蜂窝通信系统的基站设备,包括 GSM、CDMA、W-CDMA 和 LTE 基站的射频功率放大器模块。由于其宽频带特性和高效率,该器件也适用于多频段和多标准基站设计,支持灵活的频谱管理和网络优化。
  此外,MRF5S19060 可用于无线本地环路(WLL)、点对点微波通信、无线传感器网络和其他需要高功率射频放大的应用场景。在广播和专业通信系统中,该晶体管也广泛用于射频信号增强和传输系统,以提高通信质量和覆盖范围。
  在测试和测量设备中,MRF5S19060 可作为高功率射频信号源,用于验证无线通信设备的性能和稳定性。在科研和教育领域,该器件也被用于射频和微波教学实验,帮助学生理解射频功率放大器的设计和优化。

替代型号

MRF5S19060S、MRF5S19060H、MRF5S19060N

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