MRF5175是一款由NXP Semiconductors(原飞利浦半导体)制造的高功率射频晶体管,专为高频、高功率应用设计。该器件采用LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,适用于射频功率放大器系统,广泛用于通信设备、广播发射机、工业和医疗射频设备等领域。MRF5175的工作频率范围覆盖从DC到500MHz,具有高增益、高效率和良好的热稳定性。
类型:射频功率晶体管
技术:LDMOS
封装类型:AB包(陶瓷金属封装)
工作频率:DC - 500 MHz
最大输出功率:约500W
增益:约18dB(典型值)
效率:约65%(典型值)
漏极电压(VDS):最大65V
栅极电压范围:-5V 至 +3V
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
MRF5175的主要特性之一是其在高频下仍能保持高输出功率和高效能的能力,这使其成为专业射频放大器设计的理想选择。它具有出色的线性度,有助于减少失真,从而在通信系统中实现更高的信号完整性。此外,该晶体管具备良好的热稳定性和高可靠性,能够在高功率条件下长时间运行而不发生热失效。其设计还支持宽带操作,允许在较宽的频率范围内使用,从而提高设计的灵活性。
MRF5175采用AB包封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。该封装形式也有助于减少寄生电感,提高高频性能。晶体管的输入和输出阻抗匹配良好,简化了外部电路的设计。此外,MRF5175在极端工作条件下表现出色,适用于各种恶劣环境下的工业和军事应用。
MRF5175被广泛应用于多种射频功率放大系统中。其主要应用包括蜂窝基站、广播发射机(如FM和TV广播)、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器。在通信领域,它可用于构建高效的射频功率放大器模块,以支持高数据速率传输。在广播行业,该晶体管可以用于高功率发射机中,提供稳定的输出。此外,MRF5175也适用于需要高功率、高可靠性的特殊应用,如雷达系统、军事通信设备和射频能量应用。
MRF5175G, MRF5175H, MRF5175HR