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MRF429 发布时间 时间:2025/7/16 18:20:59 查看 阅读:9

MRF429是一款由摩托罗拉(Motorola)公司推出的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和射频(RF)应用而设计。该器件采用TO-220封装形式,具有良好的热稳定性和高频响应特性,适用于放大器、开关电源、驱动电路以及射频功率放大等多种电子系统。MRF429在高频操作条件下表现出优异的性能,能够提供较高的输出功率和效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):400V
  最大漏极电流(ID):12A
  最大功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.35Ω
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  漏源击穿电压(BVDSS):400V
  栅极电荷(Qg):约35nC
  封装形式:TO-220

特性

MRF429具有多个关键特性,使其在高频和射频应用中表现优异。首先,其高漏源电压额定值(400V)使其适用于高电压环境,同时能够承受较大的电流负载(最高12A)。其次,该MOSFET的低导通电阻(典型值0.35Ω)可以降低导通损耗,提高整体效率。此外,MRF429具有较快的开关速度,适用于高频操作,减少了开关损耗,并提高了系统的响应能力。该器件还具备良好的热稳定性和散热能力,有助于在高功率应用中保持稳定的性能。最后,其栅极电荷较低,有助于减少驱动电路的负担,提高整体系统的能效。

应用

MRF429广泛应用于多个领域,包括射频功率放大器、高频开关电源、马达控制、逆变器、LED驱动器以及各种需要高频率和高功率输出的电子系统。在射频应用中,MRF429常用于广播发射器、无线通信设备和工业加热系统。在电源管理领域,它可用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器。此外,该器件也适用于需要高电压和高电流能力的工业自动化和控制系统。

替代型号

IRF429, MRF429G, IRF429G

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MRF429参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格60 : ¥489.75367托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 频率 - 跃迁-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)-
  • 增益15dB
  • 功率 - 最大值150W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)10 @ 5A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)16A
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳211-11,2 型
  • 供应商器件封装211-11,2 型