MRF429是一款由摩托罗拉(Motorola)公司推出的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和射频(RF)应用而设计。该器件采用TO-220封装形式,具有良好的热稳定性和高频响应特性,适用于放大器、开关电源、驱动电路以及射频功率放大等多种电子系统。MRF429在高频操作条件下表现出优异的性能,能够提供较高的输出功率和效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):400V
最大漏极电流(ID):12A
最大功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
导通电阻(RDS(on)):典型值0.35Ω
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
漏源击穿电压(BVDSS):400V
栅极电荷(Qg):约35nC
封装形式:TO-220
MRF429具有多个关键特性,使其在高频和射频应用中表现优异。首先,其高漏源电压额定值(400V)使其适用于高电压环境,同时能够承受较大的电流负载(最高12A)。其次,该MOSFET的低导通电阻(典型值0.35Ω)可以降低导通损耗,提高整体效率。此外,MRF429具有较快的开关速度,适用于高频操作,减少了开关损耗,并提高了系统的响应能力。该器件还具备良好的热稳定性和散热能力,有助于在高功率应用中保持稳定的性能。最后,其栅极电荷较低,有助于减少驱动电路的负担,提高整体系统的能效。
MRF429广泛应用于多个领域,包括射频功率放大器、高频开关电源、马达控制、逆变器、LED驱动器以及各种需要高频率和高功率输出的电子系统。在射频应用中,MRF429常用于广播发射器、无线通信设备和工业加热系统。在电源管理领域,它可用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器。此外,该器件也适用于需要高电压和高电流能力的工业自动化和控制系统。
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