时间：2025/7/16 18:20:59
阅读：11
MRF429是一款由摩托罗拉（Motorola）公司推出的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频和射频（RF）应用而设计。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和高频响应特性，适用于放大器、开关电源、驱动电路以及射频功率放大等多种电子系统。MRF429在高频操作条件下表现出优异的性能，能够提供较高的输出功率和效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：400V
最大漏极电流（ID）：12A
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.35Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
漏源击穿电压（BVDSS）：400V
栅极电荷（Qg）：约35nC
封装形式：TO-220
MRF429具有多个关键特性，使其在高频和射频应用中表现优异。首先，其高漏源电压额定值（400V）使其适用于高电压环境，同时能够承受较大的电流负载（最高12A）。其次，该MOSFET的低导通电阻（典型值0.35Ω）可以降低导通损耗，提高整体效率。此外，MRF429具有较快的开关速度，适用于高频操作，减少了开关损耗，并提高了系统的响应能力。该器件还具备良好的热稳定性和散热能力，有助于在高功率应用中保持稳定的性能。最后，其栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的能效。
MRF429广泛应用于多个领域，包括射频功率放大器、高频开关电源、马达控制、逆变器、LED驱动器以及各种需要高频率和高功率输出的电子系统。在射频应用中，MRF429常用于广播发射器、无线通信设备和工业加热系统。在电源管理领域，它可用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器。此外，该器件也适用于需要高电压和高电流能力的工业自动化和控制系统。
IRF429, MRF429G, IRF429G
