MRF428是一款由摩托罗拉(Motorola)公司设计的N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高频功率放大应用。该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能和高电流处理能力,适用于如射频(RF)放大器、开关电源、逆变器和电机控制等场景。MRF428以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称,在工业和消费类电子产品中广泛使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
封装类型:TO-220
最大漏源电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):15A
导通电阻(RDS(on)):典型值0.33Ω
最大功率耗散(PD):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
最大栅极电压:±30V
MRF428作为一款功率MOSFET,具备多项优异的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(最大VDS为500V)使其适用于高压应用,例如开关电源和逆变器设计。其次,该器件的最大漏极电流为15A,能够承受较高的负载电流,适合用于高功率输出电路。
此外,MRF428的导通电阻较低(典型值为0.33Ω),在导通状态下功耗较小,有助于提高整体系统的效率并减少散热需求。同时,MRF428具备快速开关特性,适合高频应用,例如射频功率放大器和DC-DC转换器。
在封装方面,MRF428采用TO-220封装,这种封装形式不仅结构坚固,而且具有良好的散热性能,有助于将器件在运行过程中产生的热量有效地传导出去,从而提高器件的稳定性和寿命。
另外,MRF428具有较高的热稳定性和抗干扰能力,适用于工业环境下的恶劣条件。其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)也使得该器件可以在多种极端环境下稳定工作。
最后,MRF428的栅极驱动电压范围较宽,栅极阈值电压在2V至4V之间,兼容多种控制电路,便于集成到不同的功率电子系统中。其栅极耐压能力为±30V,提高了器件在各种应用中的可靠性。
MRF428由于其高电压和高电流能力,被广泛应用于多个功率电子领域。在电源管理方面,MRF428常用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,能够高效地进行能量转换。在逆变器系统中,例如太阳能逆变器或UPS系统中,MRF428可用于DC-AC转换,提供稳定的交流输出。
此外,MRF428也适用于电机控制电路,例如直流电机驱动器和步进电机控制器,其高电流承载能力可以满足电机启动和运行时的高负载需求。在工业自动化系统中,该器件可用于负载开关、继电器替代和电磁阀控制等场合。
在射频领域,MRF428可用于低频至中高频的射频功率放大器,适用于广播设备、通信系统和测试仪器中的信号放大需求。由于其良好的热稳定性和高可靠性,MRF428也常用于汽车电子系统中的功率控制模块,例如车载逆变器、照明控制系统和电池管理系统。
IRF428,STP15NF50,FDPF428