时间：2025/9/4 1:48:10
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MRF428是一款由摩托罗拉（Motorola）公司设计的N沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于高频功率放大应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能和高电流处理能力，适用于如射频（RF）放大器、开关电源、逆变器和电机控制等场景。MRF428以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性著称，在工业和消费类电子产品中广泛使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装类型：TO-220
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：15A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.33Ω
最大功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大栅极电压：±30V
MRF428作为一款功率MOSFET，具备多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（最大VDS为500V）使其适用于高压应用，例如开关电源和逆变器设计。其次，该器件的最大漏极电流为15A，能够承受较高的负载电流，适合用于高功率输出电路。
此外，MRF428的导通电阻较低（典型值为0.33Ω），在导通状态下功耗较小，有助于提高整体系统的效率并减少散热需求。同时，MRF428具备快速开关特性，适合高频应用，例如射频功率放大器和DC-DC转换器。
在封装方面，MRF428采用TO-220封装，这种封装形式不仅结构坚固，而且具有良好的散热性能，有助于将器件在运行过程中产生的热量有效地传导出去，从而提高器件的稳定性和寿命。
另外，MRF428具有较高的热稳定性和抗干扰能力，适用于工业环境下的恶劣条件。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也使得该器件可以在多种极端环境下稳定工作。
最后，MRF428的栅极驱动电压范围较宽，栅极阈值电压在2V至4V之间，兼容多种控制电路，便于集成到不同的功率电子系统中。其栅极耐压能力为±30V，提高了器件在各种应用中的可靠性。
MRF428由于其高电压和高电流能力，被广泛应用于多个功率电子领域。在电源管理方面，MRF428常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够高效地进行能量转换。在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或UPS系统中，MRF428可用于DC-AC转换，提供稳定的交流输出。
此外，MRF428也适用于电机控制电路，例如直流电机驱动器和步进电机控制器，其高电流承载能力可以满足电机启动和运行时的高负载需求。在工业自动化系统中，该器件可用于负载开关、继电器替代和电磁阀控制等场合。
在射频领域，MRF428可用于低频至中高频的射频功率放大器，适用于广播设备、通信系统和测试仪器中的信号放大需求。由于其良好的热稳定性和高可靠性，MRF428也常用于汽车电子系统中的功率控制模块，例如车载逆变器、照明控制系统和电池管理系统。
IRF428，STP15NF50，FDPF428
