类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：150mA
　　输出功率（典型值）：在220MHz下可达12W
　　频率范围：最高可达500MHz
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

MRF331具有多项优异的电气和热性能特性。首先，它具备高跨导（transconductance），这使其在低输入电压下也能提供高增益，从而提高了放大器设计的灵活性。其次，MRF331的输入电容较小，降低了高频应用中的信号损耗，提升了整体的频率响应。此外，该器件的反馈电容较低，有助于减少高频下的相位失真，确保信号的稳定性。
　　在热管理方面，MRF331采用高效的散热设计，使其在高功率操作时仍能保持良好的热稳定性。其TO-220封装形式便于安装在散热片上，从而有效降低工作温度，延长器件寿命。
　　此外，MRF331具有良好的抗过载能力，能够在短时间内承受较高的电压和电流冲击，而不造成永久性损坏。这一特性使其在复杂电磁环境下具备更强的可靠性。

MRF331主要用于射频功率放大器的设计，适用于VHF和UHF频段的通信设备，如无线对讲机、广播发射机、数据传输系统等。在广播领域，它常用于FM和TV发射机的前级放大或驱动级放大器。此外，该器件也常用于测试设备中的信号发生器和功率放大模块，以及工业控制系统中的高频激励源。
　　在业余无线电（Ham Radio）爱好者中，MRF331因其良好的高频性能和易用性而被广泛采用，常用于自制的HF/VHF/UHF发射机或放大器模块。其高可靠性和热稳定性也使其适用于移动通信设备和便携式发射装置。

MRF340, 2N6659, MRF312, BLF244