LL55C8V2 时间：2025/4/30 9:35:28 阅读：2

LL55C8V2是一种基于硅技术的高性能瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电感负载切换和其它瞬态电压尖峰的影响。该元器件具有快速响应时间、低电容以及高浪涌能力的特点，非常适合应用于高速数据线、通信接口和工业控制领域。

参数

工作电压：8V
　　峰值脉冲功率：550W（10/1000μs波形）
　　最大反向漏电流：1μA（在-VRWM下）
　　箝位电压：14.8V（IPP=8.3A）
　　响应时间：1ps
　　结电容：12pF
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

LL55C8V2具备以下关键特性：
　　1. 快速响应时间，能够有效抑制高速瞬态电压。
　　2. 低结电容设计，确保其适用于高频信号线路。
　　3. 高浪涌耐受能力，可承受高达550W的峰值脉冲功率，从而保证长期稳定运行。
　　4. 稳定的工作特性和宽广的工作温度范围，使其适应多种恶劣环境条件下的应用需求。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。

应用

LL55C8V2广泛应用于需要高可靠性保护的场合，包括但不限于：
　　1. 数据通信端口保护，如USB、HDMI和以太网接口。
　　2. 工业自动化设备中的信号传输线路防护。
　　3. 汽车电子系统中对瞬态电压的防护。
　　4. 移动设备和消费类电子产品中的ESD保护电路。
　　5. 其他需要防止过压冲击的电子设备和模块。