时间：2025/9/3 13:39:10
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MRF3104 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高功率射频（RF）功率晶体管，采用N沟道增强型横向金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）技术制造。该器件专为高功率射频放大应用设计，特别是在VHF（甚高频）和UHF（超高频）频段的广播、工业和通信系统中使用。MRF3104能够在175 MHz的工作频率下提供高输出功率和优异的效率表现，适用于模拟和数字通信中的高功率放大器。
频率范围：100 MHz - 500 MHz
最大工作频率：500 MHz
最大漏极电压：VDS = 65 V
最大连续漏极电流：ID = 30 A
输出功率：在175 MHz时可提供高达400 W的射频输出功率
增益：约23 dB（典型值）
效率：约65%（典型值）
封装形式：气密封陶瓷封装，带金属外壳散热设计
阻抗匹配：输入端50Ω匹配，输出端可调匹配
MRF3104具备高输出功率能力和优异的线性度，适合用于高功率射频放大器设计。该器件的LDMOS技术使其在高电压和高电流条件下仍能保持稳定运行，具有良好的热稳定性和可靠性。
其封装设计优化了散热性能，适用于连续波（CW）或脉冲工作模式，并可在恶劣的环境条件下运行。MRF3104的输入端口已进行50Ω阻抗匹配，简化了外部匹配网络的设计，降低了系统设计的复杂度。
该晶体管具有较高的效率和功率增益，有助于提升系统的整体性能并减少功耗。此外，MRF3104具备良好的抗失真能力，适合用于需要高保真度信号放大的通信系统中。
由于其宽频带特性，MRF3104可用于多种射频应用，包括调频（FM）广播、电视广播（如DVB-T）发射机、工业加热系统以及各种高功率通信设备。
MRF3104广泛应用于广播发射机、高功率射频放大器、工业与科学设备、通信基础设施（如蜂窝基站）、测试设备以及脉冲雷达系统等领域。它特别适用于需要高输出功率和高可靠性的射频放大应用。
MRF3106, MRF3115, MRF3120
