MRF280ZR1是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的射频功率晶体管,主要用于射频放大器和无线通信系统中。该器件采用先进的硅双极型工艺制造,具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适用于多种射频应用。MRF280ZR1的封装形式为塑料封装,便于散热和安装。
类型:射频功率晶体管
制造工艺:硅双极型
最大工作频率:280 MHz
最大输出功率:10 W(典型值)
增益:约12 dB
工作电压:+12 V至+15 V
工作电流:典型值为1.5 A
封装类型:TO-220
热阻(结到外壳):约3.5°C/W
MRF280ZR1的主要特性之一是其高输出功率能力,能够在280 MHz频率下提供高达10 W的输出功率,使其适用于多种射频放大器应用。该器件的高增益特性(约12 dB)减少了对前置放大器的需求,从而简化了电路设计。
此外,MRF280ZR1具有良好的线性度和效率,能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能。其工作电压范围为+12 V至+15 V,适合多种电源设计,同时具备较低的工作电流(典型值为1.5 A),有助于降低功耗和发热。
该器件采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。封装设计也便于安装在标准散热片上,提高了系统的可靠性和耐久性。
安全性方面,MRF280ZR1具备过热保护功能,能够在高温条件下自动降低输出功率,防止器件损坏。这种保护机制提高了器件在高负载条件下的稳定性,延长了使用寿命。
MRF280ZR1广泛应用于射频放大器、无线通信系统、广播设备、测试仪器和工业控制系统。由于其高功率和高频率特性,它特别适合用于射频信号放大和传输系统。在业余无线电和商业通信设备中,MRF280ZR1常用于构建高效、稳定的射频放大模块。
MRF280Z, MRF281Z