时间：2025/10/11 8:05:54
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13FKZ-RSM1-GAN-1-TB是一款由Advanced Energy（先进能源）公司生产的高功率密度、高性能的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）模块，专为高频、高效率电源转换应用设计。该器件基于先进的GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅衬底上）技术，具备卓越的开关性能和热管理能力，适用于工业、电信、数据中心电源以及激光驱动、射频能量等高端电力电子系统。该模块采用紧凑型表面贴装封装（RSM1），便于集成于高功率密度电源设计中，并通过优化的内部布局降低寄生电感，提升整体系统效率与可靠性。其设计目标是替代传统硅基MOSFET，在更高频率下实现更低损耗，从而减小磁性元件和散热器体积，提高系统功率密度。该器件通常用于半桥或同步整流拓扑结构，支持高达数百kHz至MHz级别的开关频率操作，适合追求极致能效和小型化的现代电源架构。
型号：13FKZ-RSM1-GAN-1-TB
类型：氮化镓（GaN）FET模块
封装形式：RSM1 表面贴装模块
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：30 A
脉冲漏极电流（Id_pulse）：120 A
导通电阻（Rds(on)）：45 mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V
最大栅源电压（Vgs_max）：+6.5 V / -4.0 V
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
输入电容（Ciss）：典型值 1200 pF
输出电容（Coss）：典型值 350 pF
反向恢复电荷（Qrr）：接近于零
安装方式：表面贴装（SMD）
热阻结至外壳（RthJC）：约 0.35 °C/W
13FKZ-RSM1-GAN-1-TB的核心优势在于其采用了高性能的GaN-on-SiC材料体系，这种结构结合了氮化镓优异的电子迁移率与碳化硅出色的热导率和耐压能力，使其能够在高温、高压环境下稳定运行。其低至45mΩ的导通电阻显著降低了导通损耗，尤其在大电流工况下表现突出。同时，由于GaN器件本身无体二极管且反向恢复电荷近乎为零，因此在硬开关或图腾柱PFC等拓扑中可大幅减少开关损耗，提升系统效率并降低EMI干扰。该模块内部集成了负温度系数（NTC）传感器，可用于实时监测芯片结温，增强系统的热保护能力，提升长期运行的可靠性。
该器件支持快速开关，具有极低的输入和输出电容，配合优化的封装设计，使开关速度可达数十纳秒级别，从而支持MHz级开关频率的应用场景。这对于缩小磁性元件体积、提高功率密度至关重要。此外，RSM1封装采用低寄生电感布局，有效抑制了开关过程中的电压振铃和过冲现象，提高了系统的电磁兼容性和稳定性。模块还具备坚固的机械结构设计，适用于严苛工业环境下的振动和热循环考验。所有材料均符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，便于自动化生产。
该模块内置驱动匹配优化，推荐使用专用的隔离式GaN驱动IC进行控制，以确保栅极信号完整性与安全性。其正负偏压栅极驱动要求（+6.5V开，-4.0V关）有助于防止误开通，提升系统鲁棒性。整体而言，13FKZ-RSM1-GAN-1-TB代表了当前高功率GaN器件的技术前沿，特别适合追求高效、高密度、高可靠性的下一代电源系统设计需求。
该器件广泛应用于对效率和功率密度要求极高的场合，如数据中心服务器电源、电信整流器、工业电机驱动、激光电源、射频功率放大器电源轨、高密度DC-DC转换器以及太阳能微逆变器等。在图腾柱无桥PFC电路中，该GaN FET能够充分发挥其零反向恢复电荷的优势，实现超过99%的转换效率。在LLC谐振转换器或移相全桥拓扑中，其快速开关特性有助于降低循环电流和死区损耗，提升轻载效率和动态响应能力。此外，因其良好的热性能和紧凑尺寸，也适用于空间受限的嵌入式电源系统或户外通信基站电源模块。在电动汽车充电基础设施中，该器件可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的主功率级，助力实现更高效率和更小体积的设计目标。对于科研和高端测试设备，该模块同样适用于构建高频、高精度的电源实验平台。
LMG3410RHBx, LMG3411RHM, GS-065-030-1-L
