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MRF2628 发布时间 时间:2025/9/3 8:35:33 查看 阅读:5

MRF2628 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高功率射频(RF)晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术家族。该器件设计用于在高频应用中提供高效率和高线性度,特别适用于广播、通信基础设施、工业加热和医疗设备等领域。MRF2628 工作在 UHF(超高频)频段,通常用于 470 MHz 至 512 MHz 频率范围,具有出色的功率增益和热稳定性。该器件采用高耐用性封装,能够承受较高的工作电压驻波比(VSWR),从而在各种严苛环境下保持稳定运行。

参数

类型:LDMOS RF 功率晶体管
  制造商:NXP Semiconductors
  频率范围:470 MHz - 512 MHz
  输出功率(典型值):2800 W(脉冲模式)
  工作电压:VDD = 50 V
  增益(典型值):26 dB
  效率(典型值):>70%
  输入回波损耗(S11):< -15 dB
  工作模式:AB 类
  封装类型:Airwork(气密封装)
  阻抗匹配:50 Ω 输入,50 Ω 输出
  热阻(Rth):0.15°C/W(结到外壳)

特性

MRF2628 是一款专为高功率射频应用设计的 LDMOS 晶体管,其主要特性之一是能够在高频下提供极高的输出功率。该器件在 470 MHz 至 512 MHz 范围内可提供高达 2800 W 的脉冲功率输出,使其非常适合用于高功率广播发射机和通信系统。此外,该晶体管具有良好的线性度,确保在调制信号传输过程中保持较低的失真水平,这对数字通信尤为重要。
  另一个显著特点是其高效率。MRF2628 在典型工作条件下可实现超过 70% 的效率,这不仅降低了功耗,还减少了散热需求,提高了系统的可靠性和寿命。其 AB 类工作模式能够在效率和线性之间取得良好平衡,适用于需要高保真信号放大的场合。
  该晶体管采用气密封装结构,具有优异的热管理和机械稳定性。其热阻低至 0.15°C/W(结到外壳),确保在高功率操作时能够迅速散热,防止热失效。此外,MRF2628 具有良好的 VSWR 耐受能力,即使在负载不匹配的情况下也能保持稳定运行,避免损坏。
  输入和输出阻抗均为 50Ω,便于与标准射频系统集成,同时其输入回波损耗(S11)小于 -15 dB,表明其具有良好的匹配性能,减少了信号反射和损耗。MRF2628 的高增益特性(典型值 26 dB)使得无需额外的前置放大器即可实现高效放大,简化了系统设计并降低了成本。

应用

MRF2628 主要用于需要高功率放大能力的射频系统,特别是在广播和通信领域。该器件广泛应用于数字电视(如 DVB-T、ATSC)和调频广播发射机,作为末级功率放大器使用,能够提供稳定、高效的信号输出。
  在通信基础设施方面,MRF2628 适用于 LTE、5G 基站、无线接入点和高功率 Wi-Fi 系统中的射频放大器模块。其高线性度和宽频带特性使其成为多载波通信系统的理想选择,能够有效处理复杂的调制信号并减少互调失真。
  此外,该晶体管也可用于工业、科学和医疗(ISM)频段的高功率射频源,例如射频加热设备、等离子体发生器、磁共振成像(MRI)系统等。这些应用通常需要高功率和稳定的射频输出,MRF2628 能够满足这些严苛的环境要求。
  由于其良好的 VSWR 耐受性和高可靠性,MRF2628 也适用于移动通信测试设备、射频仿真器和雷达系统等专业设备中。

替代型号

MRF2628 可以被以下器件替代,具体取决于应用需求:MRF2630(NXP)、MRF2627(NXP)、MRFE6VP61K25H(NXP)、BLF881(Ampleon)

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