MRF2628 时间：2025/9/3 8:35:33 阅读：19

MRF2628 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高功率射频（RF）晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术家族。该器件设计用于在高频应用中提供高效率和高线性度，特别适用于广播、通信基础设施、工业加热和医疗设备等领域。MRF2628 工作在 UHF（超高频）频段，通常用于 470 MHz 至 512 MHz 频率范围，具有出色的功率增益和热稳定性。该器件采用高耐用性封装，能够承受较高的工作电压驻波比（VSWR），从而在各种严苛环境下保持稳定运行。

参数

类型：LDMOS RF 功率晶体管
　　制造商：NXP Semiconductors
　　频率范围：470 MHz - 512 MHz
　　输出功率（典型值）：2800 W（脉冲模式）
　　工作电压：VDD = 50 V
　　增益（典型值）：26 dB
　　效率（典型值）：>70%
　　输入回波损耗（S11）：< -15 dB
　　工作模式：AB 类
　　封装类型：Airwork（气密封装）
　　阻抗匹配：50 Ω 输入，50 Ω 输出
　　热阻（Rth）：0.15°C/W（结到外壳）

特性

MRF2628 是一款专为高功率射频应用设计的 LDMOS 晶体管，其主要特性之一是能够在高频下提供极高的输出功率。该器件在 470 MHz 至 512 MHz 范围内可提供高达 2800 W 的脉冲功率输出，使其非常适合用于高功率广播发射机和通信系统。此外，该晶体管具有良好的线性度，确保在调制信号传输过程中保持较低的失真水平，这对数字通信尤为重要。
　　另一个显著特点是其高效率。MRF2628 在典型工作条件下可实现超过 70% 的效率，这不仅降低了功耗，还减少了散热需求，提高了系统的可靠性和寿命。其 AB 类工作模式能够在效率和线性之间取得良好平衡，适用于需要高保真信号放大的场合。
　　该晶体管采用气密封装结构，具有优异的热管理和机械稳定性。其热阻低至 0.15°C/W（结到外壳），确保在高功率操作时能够迅速散热，防止热失效。此外，MRF2628 具有良好的 VSWR 耐受能力，即使在负载不匹配的情况下也能保持稳定运行，避免损坏。
　　输入和输出阻抗均为 50Ω，便于与标准射频系统集成，同时其输入回波损耗（S11）小于 -15 dB，表明其具有良好的匹配性能，减少了信号反射和损耗。MRF2628 的高增益特性（典型值 26 dB）使得无需额外的前置放大器即可实现高效放大，简化了系统设计并降低了成本。

应用

MRF2628 主要用于需要高功率放大能力的射频系统，特别是在广播和通信领域。该器件广泛应用于数字电视（如 DVB-T、ATSC）和调频广播发射机，作为末级功率放大器使用，能够提供稳定、高效的信号输出。
　　在通信基础设施方面，MRF2628 适用于 LTE、5G 基站、无线接入点和高功率 Wi-Fi 系统中的射频放大器模块。其高线性度和宽频带特性使其成为多载波通信系统的理想选择，能够有效处理复杂的调制信号并减少互调失真。
　　此外，该晶体管也可用于工业、科学和医疗（ISM）频段的高功率射频源，例如射频加热设备、等离子体发生器、磁共振成像（MRI）系统等。这些应用通常需要高功率和稳定的射频输出，MRF2628 能够满足这些严苛的环境要求。
　　由于其良好的 VSWR 耐受性和高可靠性，MRF2628 也适用于移动通信测试设备、射频仿真器和雷达系统等专业设备中。