MRF223 时间：2025/9/3 4:16:17 阅读：4

MRF223是一款由摩托罗拉（Motorola）公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频和射频功率放大器应用而设计。该器件采用TO-220封装，适用于广播、通信设备和工业射频加热系统等高频应用场合。MRF223能够在VHF和UHF频段提供高输出功率和高效率，是许多高频放大器设计中的关键元件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏极电流（ID(max)）：1.5A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：60V
　　最大栅源电压（VGS(max)）：±20V
　　最大工作频率：175MHz
　　输出功率：约10W（典型值，取决于电路设计）
　　跨导（Gfs）：约3.5S（最小值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

MRF223具备优良的高频特性，能够在VHF和UHF频段高效工作，适合用于高频率功率放大器。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。
　　其N沟道增强型结构使其在栅极电压控制下具有较高的跨导，确保了良好的放大性能。MRF223在设计上优化了高频响应，能够在175MHz以下的频率范围内提供稳定的输出功率和效率。
　　此外，该MOSFET具有较宽的工作温度范围，适应性强，适用于各种工业环境下的射频应用。其高可靠性和稳定的性能使其成为许多射频放大器设计中的首选器件。
　　由于其封装形式较为常见，MRF223易于安装和替换，适用于各种射频电路的开发和维护。该器件广泛应用于广播发射机、通信设备、工业射频加热系统等需要高频功率放大的场合。