频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　工作电压：VDS = 28 V
　　输出功率：60 W（典型值）
　　增益：> 18 dB
　　效率：> 60%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装类型：SOT-502（也称为ST-264）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

MRF20060RS采用先进的LDMOS技术，提供了出色的射频性能和可靠性。该器件在1.8 GHz至2.2 GHz频率范围内可提供高达60 W的输出功率，适用于多标准无线通信系统（如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等）。其高增益特性（通常超过18 dB）降低了对前级放大器的要求，提高了系统设计的灵活性。
　　该晶体管的效率超过60%，有助于降低功耗和热量产生，从而提高系统的能效和可靠性。此外，其输入驻波比低于2.5:1，确保了良好的阻抗匹配和信号传输稳定性。
　　MRF20060RS采用SOT-502（ST-264）封装，具有良好的热管理性能，适用于高功率密度设计。该封装也便于散热器安装，提高了器件在高功率应用中的稳定性。
　　该器件的工作温度范围宽，从-65°C到+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用，如户外基站、移动通信设备和工业射频加热系统。

MRF20060RS广泛用于无线通信基础设施，特别是用于多标准基站（如GSM、CDMA、WCDMA、LTE）的功率放大器模块。此外，它还可用于广播发射器、工业射频加热系统、测试设备和雷达系统等高功率射频应用。其在1.8 GHz至2.2 GHz频段的优异性能使其成为4G LTE、WiMAX和其他宽带通信系统的理想选择。

MRF20060R4, MRF15060R4, MRF20060RS500, MRF20060RS1000