MRF1946 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司制造的高功率射频(RF)晶体管,专为高功率放大器应用设计,常用于通信、广播和工业设备中。该器件采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,能够在高频率下提供优异的性能和高效率。
类型:LDMOS RF功率晶体管
工作频率:最高可达1 GHz
输出功率:典型值为500 W(在450 MHz)
漏极电压:最大50 V
栅极电压:最大±10 V
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal)
增益:典型值为24 dB
效率:典型值为65%
热阻:RθJC = 0.25°C/W
阻抗匹配:内部匹配输入,适用于50Ω系统
MRF1946 是一款高性能的射频功率晶体管,适用于广泛的射频应用。其核心特性包括:高输出功率能力,可在高达1 GHz的频率范围内稳定运行,使其适用于UHF、VHF以及L波段的通信和广播系统。该器件采用先进的LDMOS技术,提供高增益和高效率,从而减少功耗并提高系统整体能效。
此外,MRF1946具有良好的热管理能力,其低热阻(RθJC = 0.25°C/W)确保在高功率操作时仍能保持稳定的温度性能,从而提高器件的可靠性和寿命。它还具备良好的抗失真能力,适合用于需要线性放大的应用,例如调频广播、数字电视发射器和工业加热设备。
封装方面,MRF1946采用坚固的陶瓷金属封装,具有良好的机械稳定性和耐高温性能,适用于恶劣环境下的长期运行。
MRF1946 广泛应用于需要高功率射频放大的系统中,包括:广播发射机(如调频广播、数字音频广播)、无线通信基础设施(如蜂窝基站、无线中继系统)、工业与科学设备(如等离子体发生器、射频加热设备)以及军事和航空电子设备中的射频功率放大模块。此外,它也可用于业余无线电设备和高功率射频测试设备中。
MRF1947, MRF2946, MRFE6VP61K25H, BLF605