类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：100A（在VGS=10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大值为0.98mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：120W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DFN5x6

FDMF8704VTR具备多项优异特性，首先其采用先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻非常低，有助于降低导通损耗并提高能效。该器件的RDS(on)典型值为0.98mΩ，适用于高电流应用。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达100A，适用于大功率开关应用。
　　其次，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，能够在多种驱动条件下稳定工作。其开关特性优良，具有快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电路。
　　另外，FDMF8704VTR采用DFN5x6封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，便于在高密度PCB布局中使用。该封装形式还具有较低的热阻，有助于提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。该MOSFET适用于多种工业标准应用，包括DC-DC转换器、同步整流、电机控制、电池管理系统和负载开关等。
　　最后，该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适应性广泛，可在恶劣环境条件下稳定运行。这些特性使得FDMF8704VTR成为一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高要求的电子系统设计。

FDMF8704VTR广泛应用于多种功率电子系统中，常见于DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件，以提升转换效率并减小系统尺寸。在电机控制领域，该器件可作为H桥或PWM驱动电路中的关键元件，提供高电流输出和快速响应能力。该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），用于实现高效率的充放电控制和负载切换。此外，FDMF8704VTR可应用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化控制、电源管理模块以及高功率LED驱动电路等。由于其优异的导通性能和高频开关特性，该器件在需要高效能、高可靠性的电源设计中具有很高的应用价值。

SiR142DP-T1-GE3, IRF6717TRPBF, IPB013N04NGATMA1