类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID(max)）：15A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：60V
　　最大栅源电压（VGS(max)）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　输出功率：在225MHz下可达约250W
　　频率范围：高达500MHz
　　封装形式：TO-3P（金属封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N2829 具备一系列适用于射频功率放大的关键特性。首先，它的高输出功率能力使其适用于需要高功率放大的射频系统，例如广播发射器和通信设备。其次，该器件的N沟道结构和MOSFET特性使其具备快速开关能力和较低的开关损耗，适合高频操作。此外，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高能效。该器件的封装设计（TO-3P金属封装）不仅有助于散热，还能提供良好的机械稳定性和电磁屏蔽，适用于恶劣的工作环境。同时，2N2829 的宽工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行，增强了其可靠性和适用性。
　　另外，2N2829 的栅极驱动要求相对较低，便于与常见的驱动电路兼容。其高增益特性使得在射频放大电路中可以减少级联放大器的级数，从而简化系统设计并降低成本。该器件的脉冲工作能力也使其适用于雷达和测试设备等需要高瞬时功率的应用场景。综合来看，2N2829 在射频功率放大领域具有较高的性能和广泛的应用潜力。

2N2829 主要应用于射频功率放大器，特别是在高频和高功率场合。它广泛用于广播发射器、无线通信设备、工业加热系统、测试和测量仪器以及雷达系统。在广播领域，该器件可用于调频（FM）和电视广播发射器中的射频功率放大模块。在通信系统中，2N2829 可作为基站放大器或卫星通信设备中的功率放大器使用。此外，其脉冲工作能力也使其适用于雷达发射机和高功率测试设备。由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件还可用于工业设备中的射频能量传输和加热控制。

IRF150, IRFP250N, 2N6677, 2N6679