描述:3.0 A, 60 V功率MOSFET
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150