MRF181Z 时间：2025/9/3 6:04:42 阅读：9

MRF181Z是一款由NXP Semiconductors生产的高功率LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）射频功率晶体管，专为在VHF和UHF频段工作的高功率放大器应用而设计。该器件广泛用于广播、通信和工业设备中，尤其是在DVB-T、DAB和FM广播发射机中。MRF181Z能够在1.8 GHz以下的频率范围内提供高效的高功率输出，具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：LDMOS射频功率晶体管
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　工作频率：最高至1.8 GHz
　　输出功率：典型值为100W（连续波）
　　增益：约20 dB（典型值）
　　漏极效率：约65%（典型值）
　　电源电压：最大漏极电压为65V
　　工作温度范围：-65°C至+200°C
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.35°C/W
　　输入回波损耗：典型值> 15 dB
　　输出回波损耗：典型值> 12 dB

特性

MRF181Z具备卓越的射频性能和高可靠性，适用于需要高输出功率和高效率的应用场景。其LDMOS技术使其在高频下具有良好的线性度和高效率，适合用于数字广播和通信系统中的功率放大器。该器件采用气密封陶瓷封装，能够有效防止湿气和杂质对芯片的侵害，提高长期稳定性。
　　该晶体管在VHF和UHF频段具有优异的输出功率能力和稳定性，能够在较宽的频率范围内保持一致的性能。MRF181Z的高增益特性减少了对前级放大器的要求，简化了系统设计。其较高的漏极效率降低了对散热系统的要求，有助于提高整体系统的能效和可靠性。
　　此外，MRF181Z具有良好的热管理特性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高功率密度和高温应用场景。该器件的高线性度和低失真特性使其成为数字广播和通信系统中理想的功率放大器件。