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AFGHL75T65SQD 发布时间 时间:2025/5/7 20:02:00 查看 阅读:7

AFGHL75T65SQD 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他高效率电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气性能。
  其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性,能够在高频条件下实现更高的效率和更小的体积设计。该器件特别适合用于服务器电源、通信电源、太阳能逆变器等场景。

参数

型号:AFGHL75T65SQD
  类型:GaN 功率晶体管
  额定电压:650V
  额定电流:75A
  导通电阻:40mΩ(典型值)
  栅极电荷:80nC(最大值)
  开关频率:支持高达 2MHz
  封装形式:QFN 8x8mm
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

AFGHL75T65SQD 具备以下显著特性:
  1.可有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 极快的开关速度,支持高达 2MHz 的开关频率,有助于减少磁性元件的尺寸。
  3. 高效的热管理设计,确保在高功率应用场景下的稳定性。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省了 PCB 空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 支持宽禁带半导体技术,具备更好的耐高温性能。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 高频 DC-DC 转换器
  2. 开关模式电源(SMPS)
  3. 太阳能微型逆变器
  4. 电动汽车车载充电器
  5. 数据中心服务器电源
  6. 通信基站电源
  7. 工业电机驱动器
  8. 快速充电适配器
  由于其高效的性能和高频操作能力,AFGHL75T65SQD 在需要高效率和高功率密度的设计中表现优异。

替代型号

BFGH75T65SQD
  CAGHL75T65MULD
  DHGXL75T65PQND

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AFGHL75T65SQD参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥54.85000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)300 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,75A
  • 功率 - 最大值375 W
  • 开关能量1.86mJ(开),1.13mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷136 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值25ns/106ns
  • 测试条件400V,75A,4.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)36 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3