您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MRF181S

MRF181S 发布时间 时间:2025/9/3 13:40:22 查看 阅读:13

MRF181S 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的射频功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的功率放大器器件。该器件广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大器模块,如蜂窝基站、广播系统和工业设备等领域。MRF181S 专为在 880 MHz 至 1000 MHz 频率范围内工作而设计,具有高增益、高效率和出色的热稳定性。这款晶体管通常采用 TO-270 封装形式,适用于表面贴装技术(SMT),为现代通信设备提供可靠的射频功率放大解决方案。

参数

类型:LDMOS RF 功率晶体管
  频率范围:880 MHz 至 1000 MHz
  输出功率:典型值为 180 W(在 960 MHz 下)
  漏极效率:典型值为 65%
  增益:典型值为 28 dB
  漏极电压最大值:65 V
  漏极电流最大值:连续工作模式下为 1.2 A
  封装形式:TO-270
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻(Rth JC):约 0.35°C/W

特性

MRF181S 是一款高性能 LDMOS 晶体管,在射频功率放大应用中表现出色。首先,该器件在 880 MHz 至 1000 MHz 频率范围内具有优异的线性度和高增益特性,典型增益可达 28 dB,这使得它非常适合用于高要求的通信系统中。其次,MRF181S 能够提供高达 180 W 的输出功率,在 960 MHz 下表现出色的漏极效率,典型值达到 65%,这有助于降低功耗和散热需求,提高系统整体能效。
  此外,MRF181S 的设计优化了其在高功率密度下的热管理能力。其热阻(Rth JC)约为 0.35°C/W,能够有效将热量从芯片传导至散热器,确保器件在高负载条件下稳定运行。这种热稳定特性对于长时间运行的基站和工业设备来说至关重要。
  该晶体管的封装形式为 TO-270,支持表面贴装技术(SMT),这使得它易于集成到现代射频电路板中,并提高了制造效率。同时,MRF181S 具有良好的抗失真能力,适用于需要高线性度的应用,如 WCDMA、LTE 和 DVB-T 等数字通信标准。它还具有出色的耐用性和稳定性,能够在恶劣的环境条件下保持性能不变。

应用

MRF181S 主要用于各种射频功率放大器应用,尤其是在无线通信基础设施中。它广泛应用于蜂窝基站系统,包括 3G、4G LTE 以及数字广播系统(如 DVB-T)中的功率放大模块。由于其高效率和高线性度特性,该器件也常用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备,以及广播和通信测试设备中。
  在蜂窝通信系统中,MRF181S 被用作最终的功率放大级,负责将调制信号放大到足够的功率水平,以便通过天线发射。其高效率特性有助于降低能耗,减少散热需求,从而提高整个基站的能源利用率。在数字广播系统中,MRF181S 可用于 DVB-T 或 FM 广播发射机的功率放大器模块,提供稳定和高保真的信号输出。
  此外,MRF181S 也适用于需要高线性度和高稳定性的测试和测量设备,如信号发生器和频谱分析仪。其优异的热稳定性和封装形式使其成为现代通信设备的理想选择。

替代型号

MRF181SR1、MRF181SR1H、MRF181SMR、NXP 的 MRFE6VP61K25H

MRF181S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价