MRF18090A 时间：2025/9/4 2:25:25 阅读：9

MRF18090A 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的射频功率晶体管（RF Power Transistor），属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的功率放大器器件。该晶体管专为高频应用设计，广泛用于射频通信系统、基站、工业设备以及广播发射机等场合。MRF18090A具有高功率增益、优良的热稳定性和高可靠性，适用于工作频率在800 MHz至900 MHz范围内的应用场景。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：800 MHz - 900 MHz
　　最大输出功率：90 W
　　工作电压：28 V
　　增益：约18 dB
　　效率：约60%
　　封装类型：TO-247
　　热阻：典型值为1.25°C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF18090A 采用先进的LDMOS技术，具备高功率密度和高线性度，适用于需要高效率和高稳定性的射频功率放大应用。该器件在800 MHz至900 MHz频段内表现出色，能够提供高达90W的连续波输出功率，并且具有良好的热管理能力，热阻低至1.25°C/W，确保在高功率运行下的稳定性与可靠性。
　　此外，MRF18090A 在28V的工作电压下运行，具有较高的功率增益（约18 dB）和效率（约60%），减少了对外部驱动级的需求，提高了整体系统的效率。其TO-247封装形式便于安装和散热设计，适合用于紧凑型高功率射频放大器模块。
　　该晶体管还具有良好的耐用性和抗失真能力，适用于多载波通信系统和数字调制信号放大。由于其高线性度和低互调失真特性，MRF18090A 在4G LTE、WiMAX、广播发射机以及其他专业无线通信系统中得到了广泛应用。

应用

MRF18090A 主要应用于射频功率放大器领域，适用于800 MHz至900 MHz频段的多种无线通信系统。典型应用包括蜂窝基站、工业和科学仪器、射频测试设备、广播发射机以及多载波通信系统等。由于其高输出功率、高效率和良好的线性度，该器件也广泛用于数字电视（DTV）发射机和无线基础设施设备中的射频放大模块。
　　此外，MRF18090A 还适用于需要高功率、高稳定性和高可靠性的应用场景，如宽带无线接入系统、点对点微波通信、射频加热设备以及医疗射频仪器等。其优越的热性能和封装设计使其在高温和高功率环境下仍能保持稳定运行，满足工业级应用的需求。