MRF177是一种广泛应用于射频(RF)功率放大器设计的双极型晶体管(BJT)。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,专为高频、高功率放大应用设计,适用于无线通信系统、广播设备和工业应用中的射频放大环节。MRF177采用高可靠性硅双极工艺制造,具有良好的热稳定性和较高的功率增益,是射频功率放大器中常用的经典器件之一。
类型:双极型晶体管(BJT)
晶体管结构:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):30 V
最大集电极电流(IC):1.5 A
最大功耗(PD):30 W
工作频率范围:最高至500 MHz
增益(hFE):在100 MHz下约12 dB
输出功率:在100 MHz下约10 W
封装形式:TO-220AB
工作温度范围:-65°C至+150°C
MRF177具有出色的射频性能和稳定性,适用于中高频段的功率放大应用。其NPN结构确保了在高频率下仍能维持良好的增益特性和输出功率。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,集电极电流可达1.5A,使其能够在较高的功率水平下运行。MRF177的封装形式为TO-220AB,具备良好的散热性能,适用于需要较高功率输出的应用场景。此外,该器件的高可靠性使其在恶劣环境下也能稳定工作。
在射频放大电路中,MRF177通常被用作驱动级或输出级放大器,其高功率增益可以有效减少级间匹配网络的复杂度,提高整体放大效率。同时,该晶体管具有较低的失真特性,适用于需要高保真信号放大的应用场景,如FM广播发射器和短波通信设备。此外,MRF177具备良好的热稳定性,能够在长时间高功率运行下保持性能稳定,延长设备使用寿命。
MRF177主要应用于射频功率放大器设计,常见于无线通信系统、广播发射设备、工业射频加热装置和测试测量仪器中。其典型应用包括FM广播发射机的末级功率放大、短波通信系统的射频驱动放大、射频信号发生器的输出级放大等。此外,该晶体管也常用于教育实验和科研项目中的射频放大电路设计,作为射频放大器的基本构建模块。由于其良好的热稳定性和高可靠性,MRF177也适用于需要连续高功率运行的工业应用,如射频能量传输系统和工业自动化设备中的射频模块。
MRF177R, MRF177RLG