KTC4375Y-RTF 时间：2025/12/28 15:01:12 阅读：14

KTC4375Y-RTF 是一款由KEC（韩国电子部件公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用场景。KTC4375Y-RTF采用SOT-223封装，便于散热和安装，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

KTC4375Y-RTF具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）为22mΩ，在Vgs=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，具备良好的耐压能力，适用于多种低压功率转换应用。
　　此外，该MOSFET的连续漏极电流可达6A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率负载控制。其SOT-223封装形式具有良好的热性能，有助于提高散热效率，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　该器件的开关速度快，栅极电荷低，有助于减少开关损耗，提升系统响应速度。同时，其热稳定性好，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和消费类电子设备中的各种功率控制场合。

应用

KTC4375Y-RTF广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及各类需要高效功率控制的嵌入式系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换模块，如同步整流器、Buck/Boost变换器等。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀、LED驱动等负载。此外，由于其良好的热性能和封装设计，也适用于对散热有较高要求的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理模块。