MRF175LU 时间：2025/9/4 2:02:14 阅读：28

MRF175LU 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高功率射频（RF）功率晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管系列。该器件主要用于射频放大器应用，尤其是在 UHF（特高频）和 VHF（甚高频）波段，适用于广播、通信基础设施和测试设备等领域。MRF175LU 设计用于在 50 MHz 至 500 MHz 的频率范围内工作，并能在高电压条件下提供出色的功率输出和效率。

参数

类型: 射频功率晶体管
　　材料: LDMOS
　　最大漏极电流（ID(max)）: 350 mA
　　最大耗散功率（Ptot）: 175 W
　　最大工作电压（VDS）: 65 V
　　频率范围: 50 MHz 至 500 MHz
　　输出功率（典型值）: 175 W
　　增益（典型值）: 22 dB
　　输入回波损耗（S11）: 18 dB
　　封装形式: TO-247
　　引脚数量: 3

特性

MRF175LU 的设计使其能够在高功率水平下提供出色的性能。这款 LDMOS 晶体管具有较高的线性度和效率，适用于要求苛刻的射频应用。其工作频率范围覆盖 50 MHz 至 500 MHz，使其非常适合用于 FM 广播、电视广播、无线通信系统和工业射频设备。
　　该晶体管的最大工作电压为 65 V，允许在较高的电压条件下工作，从而提升输出功率和效率。此外，MRF175LU 在典型工作条件下可提供高达 175 W 的输出功率，确保在高负载环境下仍能保持稳定运行。
　　该器件的增益典型值为 22 dB，能够在较宽的频率范围内提供高放大能力，同时输入回波损耗为 18 dB，表明其具有良好的输入匹配性能，从而减少信号反射并提高系统的整体效率。
　　在热管理和可靠性方面，MRF175LU 采用 TO-247 封装，这种封装形式具备良好的散热能力，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。TO-247 封装的三引脚设计也有助于简化电路布局和安装过程。
　　此外，MRF175LU 的最大漏极电流为 350 mA，最大耗散功率为 175 W，使其能够在高功率密度条件下稳定运行。该器件还具有较高的抗失真能力，适用于需要高线性度的应用场景，如广播发射机和高保真通信系统。