时间：2025/9/2 22:06:35
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MRF175是一款由恩智浦半导体（NXP）生产的射频功率晶体管，主要用于高频通信系统中的功率放大应用。该晶体管基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具有高增益、高效率和高可靠性等优点。MRF175广泛应用于广播、无线通信和工业设备中，特别是在调频广播和数字音频广播（DAB）发射器中表现出色。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
最大漏极电流：350 mA
最大漏-源电压：65 V
最大功率耗散：30 W
工作频率范围：1.5 MHz至500 MHz
增益：20 dB（典型值）
封装类型：TO-240
输入和输出阻抗：50Ω
MRF175采用了先进的LDMOS技术，使其在高频下具有优异的性能表现。其高线性度和低失真特性使其非常适合用于调频广播和其他需要高音质的应用。该晶体管还具有良好的热稳定性和过载保护能力，确保了在高功率条件下的长期可靠性。此外，MRF175具有较高的效率，能够在减少功耗的同时提供稳定的输出功率。其封装设计便于散热，适用于各种高功率射频系统中的集成。
MRF175常用于调频广播发射器、数字音频广播（DAB）系统、无线通信基础设施以及工业和科学设备中的射频功率放大器设计。其广泛的工作频率范围使其适用于多种射频放大需求。
BLF177, MRFE6VP61K25H, AFT05MS004N
