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MRF174MP 发布时间 时间:2025/9/2 23:57:00 查看 阅读:7

MRF174MP是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的射频(RF)功率晶体管,属于金属陶瓷封装的双极型晶体管(BJT)系列。该器件专门设计用于在高频应用中提供高功率输出,广泛应用于通信设备、工业射频加热系统、广播发射机以及其他需要高功率放大的场合。MRF174MP采用了坚固的金属陶瓷封装技术,能够承受较高的工作温度和较大的功率耗散,确保在严苛环境下的稳定运行。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  封装类型:金属陶瓷封装
  最大集电极电流(Ic):15A
  最大集电极-发射极电压(Vce):65V
  最大集电极-基极电压(Vcb):75V
  最大功耗(Ptot):300W
  频率范围:DC至500MHz
  增益(hFE):典型值为20至60
  输出功率:在225MHz下可达175W
  工作温度范围:-65°C至+200°C

特性

MRF174MP具有多项优异的电气和机械特性,适用于高功率射频应用。首先,其金属陶瓷封装提供了良好的热传导性能和机械强度,能够在高温和高功率条件下稳定运行,提高了器件的可靠性和寿命。
  其次,MRF174MP在高频范围(DC至500MHz)内表现出良好的放大性能,适用于多种射频功率放大器设计。在225MHz的典型工作频率下,该晶体管可以提供高达175W的输出功率,满足高功率通信和广播系统的需求。
  该晶体管的增益(hFE)在正常工作条件下为20至60之间,能够提供足够的信号放大能力,减少前级驱动的需求,提高整体系统的效率。此外,MRF174MP的集电极-发射极电压最大可达65V,使其适用于高电压供电系统,增强设计的灵活性。
  其最大功耗为300W,具备较强的功率处理能力,适合在需要长时间连续工作的工业和通信设备中使用。MRF174MP的工作温度范围宽广,从-65°C到+200°C,适应了各种极端环境条件,确保在高温应用中不会因过热而失效。
  综上所述,MRF174MP以其高功率容量、宽频率响应、优异的热管理和稳定的电气性能,成为射频功率放大器设计中的理想选择。

应用

MRF174MP主要应用于射频功率放大器的设计,特别是在HF(高频)和VHF(甚高频)波段的通信系统中。它常用于广播发射机、工业射频加热设备、等离子体发生器、医疗射频设备以及测试和测量仪器中的功率放大模块。
  在广播领域,MRF174MP可用于AM(调幅)和FM(调频)发射机的末级功率放大器,提供稳定的高功率输出。在工业应用中,该晶体管可驱动射频加热系统,用于塑料焊接、金属热处理等工艺过程。
  此外,MRF174MP也广泛用于业余无线电设备和专业通信设备中,作为高功率射频信号放大的核心元件。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于户外和移动通信基站等严苛环境下的应用。

替代型号

BLF177MP, MRF1512, MRF1540

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