时间:2025/12/28 15:04:03
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KIA6967S是一种由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高性能的电子电路中。这款MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下工作,具备较低的导通电阻和快速的开关特性。KIA6967S通常用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制、负载开关以及电池供电设备等应用中。该器件采用SOP-8封装形式,适合表面贴装工艺,便于在现代电子设备中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):20V
连续漏极电流(Id):10A(最大)
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ(最大)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOP-8
KIA6967S具有多个关键特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流下损耗最小化,从而提高能效并减少散热需求。其次,该MOSFET具备高栅极电荷(Qg)特性,确保其在高频开关应用中的稳定性和可靠性。此外,KIA6967S的封装设计优化了热管理性能,使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
这款MOSFET的高耐压能力(30V漏源电压)使其适用于多种电源管理电路,例如同步整流、DC-DC降压和升压转换器。同时,其10A的最大连续漏极电流能力使其能够处理较大的负载,适用于电动工具、电源适配器、电池管理系统(BMS)等应用。
KIA6967S的SOP-8封装形式不仅节省空间,而且便于PCB布局和自动化生产。该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于环保要求较高的电子产品设计。
KIA6967S适用于多种电源管理和功率控制应用,包括但不限于:DC-DC转换器(如Buck、Boost和Buck-Boost转换器)、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源适配器、LED照明驱动电路、工业自动化设备和便携式电子设备。由于其高效率和紧凑的封装形式,该MOSFET特别适合对空间和能效有严格要求的应用场景。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413PBF, AO4407A