时间：2025/9/3 14:49:32
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MRF173CQ是一款由NXP（恩智浦）半导体公司生产的射频功率晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，适用于高功率射频放大应用。该晶体管专为在VHF、UHF和更高频段中工作的无线基础设施设备设计，广泛应用于基站、广播发射机和其他通信设备中的射频功率放大器。MRF173CQ采用先进的LDMOS工艺技术，提供了高增益、高效率以及出色的线性性能，能够在连续波（CW）和脉冲工作模式下稳定运行。
类型：射频功率晶体管
晶体管类型：N沟道LDMOS
封装类型：表面贴装（SOT-1220）
漏极电压（VDSS）：65V
栅极电压（VGSS）：-10V至+25V
工作频率范围：最大1GHz
输出功率：在1GHz下可达约250W（CW模式）
增益：约20dB（典型值）
效率：典型值约65%
输入驻波比（VSWR）：2:1最大
工作温度范围：-65°C至+150°C
MRF173CQ具备多项卓越的性能特性，使其成为高性能射频放大器的理想选择之一。首先，该器件采用了先进的LDMOS技术，能够在高频下保持高效率和高线性度，适用于多载波和宽带通信系统。其高输出功率能力使其能够胜任基站、广播设备和工业应用中的高功率放大需求。
其次，MRF173CQ具有出色的热稳定性和可靠性，能够在苛刻的工作环境下长期稳定运行。其封装设计优化了散热性能，确保在高功率输出时仍能维持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。
此外，MRF173CQ还具有较高的输入阻抗匹配能力，简化了外部匹配电路的设计，并减少了对复杂输入匹配网络的依赖。这对于减少整体系统复杂性和降低成本非常有帮助。该器件还具备良好的抗失真能力，适合用于需要高线性度的应用，如WCDMA、LTE等现代通信标准。
最后，MRF173CQ支持多种工作模式，包括连续波（CW）和脉冲模式，适用于多种射频功率放大场景。
MRF173CQ主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，尤其是在蜂窝基站、广播发射机和工业射频设备中。由于其高输出功率和宽频带特性，该器件非常适合用于800MHz至1GHz频段的高功率放大器应用，例如在GSM、WCDMA、LTE和DVB-T等通信系统中。
此外，MRF173CQ还可用于测试设备、高功率射频加热系统以及需要高功率放大的科研仪器。其高效率和高线性度使其在多载波通信系统中表现出色，有助于减少信号失真和提高频谱效率。由于其出色的热管理和封装设计，MRF173CQ也适用于需要高可靠性和长寿命的户外设备和高功率无线系统。
MRF174CQ, MRFE6VP61K25H, MRF1512, MRF1518
