MRF166C 是一款高频射频功率晶体管,主要用于无线通信、射频放大器和工业应用等领域。该晶体管采用硅双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)技术制造,具有高增益、高效率和宽频率范围的特性。其典型工作频率可达450 MHz,并能在较高的功率水平下稳定运行。
最大集电极功耗:32 W
最大集电极-发射极电压:65 V
最大基极-发射极电压:7 V
最大集电极电流:8 A
特征频率(fT):800 MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MRF166C 具有出色的射频性能,在高频段表现出较低的噪声系数和高增益。它能够承受较高的集电极功耗,适用于连续波(CW)和脉冲信号放大场景。
此外,该晶体管具有良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的输出功率。其封装设计优化了散热性能,便于集成到各种射频系统中。
MRF166C 的高效率使得它成为许多射频能量转换应用的理想选择,例如射频加热、等离子体发生器和其他工业用途。
MRF166C 广泛应用于射频功率放大器设计,特别是在业余无线电设备、工业加热设备和医疗仪器中。
它也适用于广播系统中的驱动级和末级功率放大器,以及需要高可靠性和高效能的军事通信系统。
由于其高频特性和大功率能力,MRF166C 还被用于测试与测量设备中的信号源和功率放大模块。
MRF166A, MRF166B