您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MRF166C

MRF166C 发布时间 时间:2025/5/10 9:09:53 查看 阅读:13

MRF166C 是一款高频射频功率晶体管,主要用于无线通信、射频放大器和工业应用等领域。该晶体管采用硅双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)技术制造,具有高增益、高效率和宽频率范围的特性。其典型工作频率可达450 MHz,并能在较高的功率水平下稳定运行。

参数

最大集电极功耗:32 W
  最大集电极-发射极电压:65 V
  最大基极-发射极电压:7 V
  最大集电极电流:8 A
  特征频率(fT):800 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MRF166C 具有出色的射频性能,在高频段表现出较低的噪声系数和高增益。它能够承受较高的集电极功耗,适用于连续波(CW)和脉冲信号放大场景。
  此外,该晶体管具有良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的输出功率。其封装设计优化了散热性能,便于集成到各种射频系统中。
  MRF166C 的高效率使得它成为许多射频能量转换应用的理想选择,例如射频加热、等离子体发生器和其他工业用途。

应用

MRF166C 广泛应用于射频功率放大器设计,特别是在业余无线电设备、工业加热设备和医疗仪器中。
  它也适用于广播系统中的驱动级和末级功率放大器,以及需要高可靠性和高效能的军事通信系统。
  由于其高频特性和大功率能力,MRF166C 还被用于测试与测量设备中的信号源和功率放大模块。

替代型号

MRF166A, MRF166B

MRF166C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MRF166C资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MRF166C产品

MRF166C参数

  • 制造商M/A-COM Technology Solutions
  • 配置Single
  • 晶体管极性N-Channel
  • 频率500 MHz
  • 增益13.5 dB
  • 输出功率20 W
  • 汲极/源极击穿电压65 V
  • 漏极连续电流4 A
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体Case 319-07
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 65 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 功率耗散70 W