MRF1518T1 时间：2025/8/28 15:33:08 阅读：6

MRF1518T1 是一款由 ON Semiconductor 生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），采用 NPN 型的双极性晶体管结构，专为高功率射频放大应用设计。该器件工作频率范围覆盖 UHF 和 L 波段，适用于通信、广播、工业加热和射频测试设备等多种应用场景。MRF1518T1 采用 TO-275AA 封装，具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　封装：TO-275AA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：65 V
　　最大集电极电流（IC）：30 A
　　最大功耗（PD）：300 W
　　工作频率范围：100 MHz ~ 1 GHz
　　增益（Gp）：典型值 14 dB @ 450 MHz
　　输出功率：典型值 150 W @ 450 MHz
　　特征阻抗：50Ω
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　工作温度范围：-65°C ~ +150°C

特性

MRF1518T1 具备出色的射频功率放大能力，适用于广泛的射频应用领域。其高耐压（VCEO = 65 V）和高电流容量（IC = 30 A）使其在高功率条件下仍能稳定运行。该器件的最大功耗为 300 W，能够支持连续波和脉冲模式下的高效率放大。其典型工作频率覆盖 100 MHz 至 1 GHz，特别适合用于 UHF 和 L 波段的无线通信、广播系统以及工业射频加热设备。在 450 MHz 条件下，MRF1518T1 提供约 150 W 的输出功率，增益典型值为 14 dB，具有良好的线性和稳定性，适合用于宽带放大器设计。此外，该器件采用 TO-275AA 封装，具备优良的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。MRF1518T1 的输入和输出端口经过优化，便于与 50Ω 系统进行匹配，简化了射频电路的设计与实现。由于其高耐用性和高输出功率特性，该晶体管也常被用于射频测试设备和大功率发射器中。

应用

MRF1518T1 广泛应用于射频功率放大系统，包括移动通信基站、广播发射机、工业射频加热设备、雷达系统、射频测试仪器以及业余无线电设备。由于其在 450 MHz 频段的高效表现，它特别适用于 UHF 通信和陆地移动无线电（LMR）系统。该器件也可用于设计宽带射频放大器和高功率脉冲放大器，满足各种专业通信和工业控制需求。