MRF1517T1 时间：2025/9/3 9:09:15 阅读：9

MRF1517T1 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的射频功率晶体管，采用硅材料制造，属于N沟道横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。该晶体管设计用于高频和超高频（HF和VHF）波段的高功率放大应用，常用于广播、通信基础设施、工业加热设备以及射频测试设备中。

参数

类型：射频功率LDMOS晶体管
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID(max)）：500 mA
　　最大漏极电压（VD(max)）：125 V
　　最大栅极电压（VG(max)）：±20 V
　　最大工作频率：1.5 GHz
　　输出功率（典型值）：17 W
　　封装类型：TO-270AA（D-PAK）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF1517T1 是一款具有高线性度和高效率的射频功率放大器晶体管。其采用LDMOS结构，使得在高频条件下仍能保持良好的性能和稳定性。该器件的高增益和低失真特性使其特别适用于AM和FM广播发射机、蜂窝通信基站和其他射频传输设备。
　　在设计上，MRF1517T1 采用了先进的热管理技术，确保在高功率操作下具有良好的散热性能。该晶体管的D-PAK封装形式有助于提高散热效率，并且可以直接焊接在印刷电路板（PCB）上，便于自动化生产和维修。
　　此外，MRF1517T1 具有良好的抗失真能力，能够在高线性度条件下工作，这使其非常适合用于需要高保真信号放大的应用。该晶体管在工作温度范围内具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种恶劣环境下的长期运行。