类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：125 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大漏极电流（ID）：6 A
　　最大功耗（PD）：150 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　增益：20 dB（典型值）
　　输出功率：100 W（典型值）
　　频率范围：175 MHz 至 500 MHz
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）

MRF136Y 是一款专为射频功率放大器设计的高性能 MOSFET 器件，具备多个关键特性，使其在多种高频应用中表现出色。
　　首先，该器件的 N 沟道增强型结构确保了其在高频率下仍能保持稳定的放大性能。其工作频率范围为 175 MHz 至 500 MHz，非常适合用于 UHF 电视广播、工业加热设备以及射频电源系统。此外，MRF136Y 在 500 MHz 频率下仍能提供高达 100 W 的输出功率，并具有约 20 dB 的增益，能够满足高线性度和高效率的系统要求。
　　其次，MRF136Y 具有较高的耐压能力，最大漏源电压（VDS）可达 125 V，最大栅源电压为 ±30 V，这使得该器件在高压环境中依然能够稳定运行。同时，其最大漏极电流为 6 A，最大功耗为 150 W，具备较强的功率处理能力，适用于需要高可靠性的工业和通信设备。
　　再次，MRF136Y 的 TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成，提高了整体系统的稳定性和散热效率。该器件的输入驻波比（VSWR）最大为 2.5:1，表明其具有较好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射并提升系统效率。
　　最后，MRF136Y 的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，适用于各种严苛的环境条件，展现出卓越的耐久性和可靠性。这些特性使 MRF136Y 成为广播发射机、射频加热系统、无线通信设备等应用中的理想选择。

MRF136Y 广泛应用于多个高频功率放大领域，尤其是在需要高输出功率和高效率的系统中。例如，在广播行业，该器件常用于 UHF 电视发射机的功率放大级，提供稳定的射频输出并确保信号覆盖范围。此外，MRF136Y 也广泛应用于工业射频加热系统，如塑料热合机、感应加热设备等，能够提供高稳定性和高效率的功率输出。
　　在通信基础设施方面，MRF136Y 可用于陆地移动无线电（LMR）系统、蜂窝基站的射频放大模块，以及测试测量设备中的信号放大器。其高线性度和宽频率响应特性，使其在多频段或多用途射频系统中具备良好的适应性。
　　此外，该器件还可用于射频能量应用，如医疗设备中的射频消融系统，以及科研领域的高频信号发生器。由于其具备良好的热管理能力和高可靠性，MRF136Y 在长时间运行和高温环境下仍能保持稳定的工作状态。

MRF150, MRF151, BLF177