额定集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　额定集电极电流(Ic)：300A
　　导通压降(Vce_sat @ 25°C)：约2.45V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：6倍额定电流持续10μs
　　热阻(Rth_j-c)：约0.25 K/W
　　绝缘等级：符合UL认证的增强型绝缘

SICF3SV2 的最大优势在于其采用碳化硅（SiC）功率器件技术，这使得模块在高频开关应用中表现出更低的开关损耗和更高的系统效率。相比传统的硅基IGBT模块，SICF3SV2 在相同的功率等级下，可以实现更高的工作频率，从而减小磁性元件的体积，提高系统的功率密度。
　　该模块内部集成了三个半桥结构的SiC MOSFET器件，适用于三相逆变拓扑。模块具备良好的热性能，热阻低，能够有效传导和分散热量，确保在高负载条件下稳定运行。此外，SICF3SV2 还具有优异的短路耐受能力，能够在极端工况下提供可靠的保护，防止器件损坏。
　　模块采用增强型绝缘设计，满足工业应用中对电气安全的高要求，适合用于高电压和高电流的工作环境。其封装设计便于安装和散热器连接，适用于各种工业电力电子设备的功率模块布局。

SICF3SV2 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、光伏逆变器、储能系统逆变器、电动汽车充电设备以及高功率UPS不间断电源系统等。
　　在工业自动化领域，SICF3SV2 可用于高性能电机驱动器中，提供更高的能效和更好的动态响应。在可再生能源系统中，例如光伏逆变器和储能系统，SICF3SV2 的高效率和高频能力可以显著提升系统的整体性能和能量转换效率。此外，在电动汽车充电基础设施中，该模块能够支持更高的功率传输效率和更快的充电速度，同时降低系统整体尺寸和重量。

SKM300GB12T4ag、FS300R12W1T4、CM300DY-12H、SICF3SH12