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MRF1001A 发布时间 时间:2025/9/3 16:47:40 查看 阅读:16

MRF1001A 是一款高性能射频功率晶体管,由安森美半导体(ON Semiconductor)生产。该器件采用N沟道增强型横向金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)技术,适用于高频、高功率应用。MRF1001A 主要用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率放大器设计,支持从100 MHz到1 GHz的频率范围。该晶体管具有高增益、高效率和良好的热稳定性,适合用于射频加热、等离子体发生器和射频测试设备等应用。MRF1001A 采用高耐用性封装,确保在高功率环境下长期稳定运行。

参数

类型:射频功率晶体管
  晶体管类型:N沟道 LDMOSFET
  最大漏极电压 (VDSS):125 V
  最大漏极电流 (ID):连续工作模式下为1.2 A
  最大功耗 (PD):150 W
  工作频率范围:100 MHz 至 1 GHz
  增益:典型值为22 dB
  输出功率:典型值为100 W(在450 MHz时)
  封装类型:TO-247
  热阻 (RθJC):约0.83°C/W
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

MRF1001A 是一款基于LDMOS技术的高性能射频功率晶体管,具有出色的电气性能和热管理能力。其高增益特性使得该器件在射频放大电路中表现出色,能够在宽频率范围内提供稳定的放大效果。MRF1001A 的高输出功率能力使其适用于多种高功率射频应用,如射频加热系统、医疗设备以及无线通信基础设施中的射频功率放大器。
  该晶体管的最大漏极电压为125 V,最大漏极电流为1.2 A,支持在较高电压和电流下运行。同时,其最大功耗可达150 W,确保在高功率条件下仍能保持稳定工作。此外,MRF1001A 的热阻较低(约0.83°C/W),有助于有效散热,提高器件的可靠性和使用寿命。
  封装方面,MRF1001A 采用TO-247封装形式,便于安装和散热设计。该封装具备良好的机械强度和电气绝缘性能,可满足工业级应用需求。此外,该器件的存储和工作温度范围广泛,从-65°C到+150°C,使其能够在各种环境条件下正常运行。

应用

MRF1001A 主要用于需要高功率输出和高频性能的射频系统中。其典型应用包括工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率放大器、射频加热设备、等离子体发生器、射频测试和测量仪器等。此外,该晶体管还可用于无线通信基础设施中的射频发射模块,如基站放大器、广播设备以及工业射频能量应用系统。MRF1001A 的宽频率响应和高可靠性使其成为许多高功率射频应用的理想选择。

替代型号

MRF1001AG, MRF1001AL, MRF1001ALSR1, MRF1001AGSR1

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