时间：2025/6/3 15:16:03
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GA1206Y123MBXBT31G 是一款高性能的存储芯片，通常用于需要大容量和高速数据传输的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，在功耗、性能和稳定性方面具有显著优势。
此型号属于特定系列的 NAND Flash 存储器，支持多种接口协议，并且能够满足工业级应用对可靠性的要求。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口： Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O 引脚数：80
数据传输速率：最高可达 400MB/s
GA1206Y123MBXBT31G 的主要特性包括高密度存储能力、低功耗设计以及出色的耐用性。
其采用 3D NAND 技术，相比传统 2D NAND 提供更高的存储效率和更低的成本。
此外，该芯片内置 ECC（错误检查与纠正）功能，可以有效提升数据完整性并延长产品寿命。
在可靠性方面，它经过严格测试以确保在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业控制、车载系统及嵌入式设备等领域。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑的大容量存储需求；
2. 工业计算机中的固态硬盘解决方案；
3. 车载信息娱乐系统和导航模块的数据存储；
4. 医疗设备中关键数据的长期保存；
5. 监控摄像头的本地存储扩展；
6. 物联网设备的数据记录与管理。
GA1206Y123MBXBT32G, GA1206Y123MBXBT33G
