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GA1206Y123MBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:16:03 查看 阅读:7

GA1206Y123MBXBT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于需要大容量和高速数据传输的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺,在功耗、性能和稳定性方面具有显著优势。
  此型号属于特定系列的 NAND Flash 存储器,支持多种接口协议,并且能够满足工业级应用对可靠性的要求。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口: Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  I/O 引脚数:80
  数据传输速率:最高可达 400MB/s

特性

GA1206Y123MBXBT31G 的主要特性包括高密度存储能力、低功耗设计以及出色的耐用性。
  其采用 3D NAND 技术,相比传统 2D NAND 提供更高的存储效率和更低的成本。
  此外,该芯片内置 ECC(错误检查与纠正)功能,可以有效提升数据完整性并延长产品寿命。
  在可靠性方面,它经过严格测试以确保在恶劣环境下的稳定运行,适用于工业控制、车载系统及嵌入式设备等领域。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑的大容量存储需求;
  2. 工业计算机中的固态硬盘解决方案;
  3. 车载信息娱乐系统和导航模块的数据存储;
  4. 医疗设备中关键数据的长期保存;
  5. 监控摄像头的本地存储扩展;
  6. 物联网设备的数据记录与管理。

替代型号

GA1206Y123MBXBT32G, GA1206Y123MBXBT33G

GA1206Y123MBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-