GA1206Y123MBXBT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于需要大容量和高速数据传输的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺,在功耗、性能和稳定性方面具有显著优势。
此型号属于特定系列的 NAND Flash 存储器,支持多种接口协议,并且能够满足工业级应用对可靠性的要求。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口: Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
I/O 引脚数:80
数据传输速率:最高可达 400MB/s
GA1206Y123MBXBT31G 的主要特性包括高密度存储能力、低功耗设计以及出色的耐用性。
其采用 3D NAND 技术,相比传统 2D NAND 提供更高的存储效率和更低的成本。
此外,该芯片内置 ECC(错误检查与纠正)功能,可以有效提升数据完整性并延长产品寿命。
在可靠性方面,它经过严格测试以确保在恶劣环境下的稳定运行,适用于工业控制、车载系统及嵌入式设备等领域。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑的大容量存储需求;
2. 工业计算机中的固态硬盘解决方案;
3. 车载信息娱乐系统和导航模块的数据存储;
4. 医疗设备中关键数据的长期保存;
5. 监控摄像头的本地存储扩展;
6. 物联网设备的数据记录与管理。
GA1206Y123MBXBT32G, GA1206Y123MBXBT33G