类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A（在 Vgs=4.5V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 26mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 或 SOT-323

MR1120R 具备多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体效率，这对于电池供电设备尤为重要。其次，该 MOSFET 支持高达 4.1A 的连续漏极电流，在小型封装中实现高性能。此外，MR1120R 的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　其封装形式为表面贴装型（SOT-23 或 SOT-323），有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型设计。MR1120R 还具备良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业和汽车环境。
　　另外，该器件的栅源电压容限为 ±12V，提供了更高的设计灵活性，防止栅极过压损坏。ROHM 还为 MR1120R 提供了详尽的技术文档和应用支持，便于工程师快速集成到电路设计中。

MR1120R 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC 转换器：作为高边或低边开关，用于升压、降压或反相转换电路中，提高转换效率。
　　2. 负载开关：用于控制电源路径，如 USB 端口电源管理、外设电源切换等。
　　3. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，用于高效能电源管理。
　　4. 电机驱动：用于小型电机的开关控制，实现高效能和低功耗运行。
　　5. 工业控制系统：用于自动化设备中的电源控制和负载切换。
　　6. 汽车电子：用于车载充电系统、LED 照明控制、车载信息娱乐系统等。

Si2302DS, 2N7002K, AO3400A