MDD1903RH 时间：2025/5/13 9:00:17 阅读：6

MDD1903RH是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源管理应用场合，例如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
　　该器件在设计时注重效率与散热性能，使其能够在高电流条件下保持稳定的运行状态。同时，其出色的电气特性使得它成为许多中低功率应用的理想选择。

参数

型号：MDD1903RH
　　封装：TO-252
　　VDS（漏源电压）：40V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值@VGS=10V）：8.5mΩ
　　ID（持续漏极电流）：38A
　　VGS（栅源电压）：±20V
　　fT（特征频率）：7.6MHz
　　结温范围：-55℃至+150℃
　　工作温度范围：-55℃至+125℃

特性

MDD1903RH具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频工作环境下的高效能量转换。
　　3. 较高的漏极电流承载能力，能够满足多种大电流应用场景的需求。
　　4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　5. 小型化封装设计，便于PCB布局优化。
　　6. 热稳定性强，在极端温度条件下仍能保持良好的性能表现。
　　7. 提增强了产品的可靠性。

应用

MDD1903RH广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. 各类DC-DC转换器模块。
　　3. 负载开关与保护电路。
　　4. 电机驱动及控制电路。
　　5. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
　　7. LED驱动器以及其他需要高效功率切换的应用场景。