MQD2M 时间：2025/12/29 14:27:53 阅读：9

MQD2M 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该晶体管主要用于高功率开关和放大应用，适用于各种电子电路设计。MQD2M 具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，因此在电源管理、电机控制和工业自动化等应用中广泛使用。

参数

类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）: 100V
　　最大集电极电流（IC）: 2A
　　最大功率耗散（PD）: 30W
　　电流增益（hFE）: 2000-40000（具体取决于测试条件）
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-220

特性

MQD2M 晶体管具有多个显著特点，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的最大集电极-发射极电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电路设计。其次，最大集电极电流为 2A，使其能够处理较大的负载电流，适合用于功率放大和开关应用。
　　该晶体管的最大功率耗散为 30W，具备良好的散热能力，能够在较高温度环境下稳定工作。此外，MQD2M 的 hFE（电流增益）范围较宽，通常在 2000 到 40000 之间，具体数值取决于工作条件。这种高增益特性使得该晶体管在低电流驱动应用中非常高效。
　　MQD2M 采用 TO-220 封装，这种封装形式具备良好的散热性能，并且便于安装在散热片上，适用于需要高效散热的高功率电路。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有较强的环境适应能力，适合在各种工业环境中使用。
　　由于其高电压、高电流和高功率的特性，MQD2M 在工业控制、电机驱动、电源转换和自动化设备中得到了广泛应用。它不仅能够提供可靠的性能，还具备较长的使用寿命。