类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：135A
　　导通电阻（Rds(on)）：约5.2mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

RM135N100HD 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高电流承载能力使其能够胜任大功率负载的控制任务，例如电机驱动和电源转换器。由于采用了先进的封装技术，RM135N100HD 在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现，适合在恶劣工况下使用。另外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。RM135N100HD 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在高频开关应用中保持可靠的工作状态。
　　此外，RM135N100HD 的设计考虑了在实际应用中的散热需求，TO-247封装提供了良好的热传导性能，便于连接散热器以进一步降低工作温度。这种设计使得该MOSFET在高功率密度应用中表现出色，适用于需要长时间连续运行的工业设备和电源系统。

RM135N100HD 主要应用于高功率电子设备中，例如大功率电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车辆驱动系统、工业电机控制、DC-DC变换器以及各种高效率电源管理系统。它也可以用于高电流负载的开关控制，例如LED照明驱动、电池充电器和电机驱动电路。在这些应用中，RM135N100HD 能够提供高效率、高可靠性和长寿命的表现，满足工业级和汽车级应用的需求。

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　　 "R135N10ANH",
　　 "R135N10AND",
　　 "R135N10ANN"
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