时间：2025/6/30 23:46:19
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MPSW45RLRE是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于需要高效开关和低导通损耗的场合，例如直流-直流转换器、负载开关、电机驱动等应用。其设计具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而能够提高效率并减少热量产生。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：10A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1150pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
MPSW45RLRE具备极低的导通电阻，在10V的栅极驱动电压下仅为8.5mΩ，从而大幅降低了传导损耗。此外，该MOSFET具有快速开关能力，栅极电荷较低（29nC），有助于减少开关损耗。其TO-263封装提供良好的散热性能，并且能够承受较高的电流负荷。
MPSW45RLRE还支持宽广的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。由于其优异的电气特性和可靠性，这款器件非常适合于高效率电源管理电路以及工业控制领域。
该芯片常用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流降压或升压转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 工业自动化与电机驱动控制。
5. 保护电路如过流保护或短路保护。
MPSW45RLRE凭借其低导通电阻和快速开关速度，是上述应用的理想选择。
IRFZ44N
STP10NK06Z
FDP5700
