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MPSW42 发布时间 时间:2025/3/27 14:29:31 查看 阅读:8

MPSW42是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效率和低损耗的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的导通电阻和开关性能,适合在高频开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中使用。
  其封装形式为SOT-23,能够提供优异的热性能和电气性能,同时具有小尺寸和易于安装的特点。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:2.1A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:3nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

MPSW42的核心优势在于其低导通电阻和快速开关能力,这使得它能够在高频工作条件下保持较低的功耗。
  此外,该器件的紧凑型SOT-23封装非常适合空间受限的设计环境。
  MPSW42还具备良好的抗静电能力(ESD保护),有助于提高系统的可靠性。
  其典型应用场景包括消费类电子设备中的电源管理模块、电池供电产品以及便携式设备中的负载开关控制。

应用

DC-DC转换器
  负载开关
  电池管理
  电机驱动
  高频开关电源
  便携式设备中的电源管理

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MPSW42参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 长体
  • 供应商设备封装TO-92
  • 包装散装