MPSH10/11 时间：2025/8/16 16:42:43 阅读：5

MPSH10/11 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的NPN型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。该晶体管采用TO-92封装，具有良好的高频响应和稳定性，适用于无线通信、广播设备以及各类射频信号处理电路。MPSH10和MPSH11的主要区别在于电流增益（hFE）的分档不同，以满足不同应用对放大倍数的需求。

参数

类型：NPN型晶体管
　　封装形式：TO-92
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：MPSH10（40-120），MPSH11（100-300）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

MPSH10/11晶体管具备优良的高频性能，适合用于中频和射频放大器的设计。其高截止频率（fT）达到100MHz，能够支持较宽频段的信号放大需求。
　　该器件的电流增益分档设计使得用户可以根据电路要求选择合适增益的晶体管，从而优化放大器的稳定性与增益性能。
　　此外，MPSH10/11具有较低的噪声系数，适用于前端信号放大，尤其是在接收机中作为低噪声放大器（LNA）使用时表现出色。
　　其TO-92封装结构小巧，便于在各种电路板布局中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围宽广，能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业级和通信设备的应用场景。

应用

MPSH10/11常用于射频信号放大器、中频放大器、无线通信系统中的信号增强电路、广播设备中的高频放大环节、以及各类低噪声放大器（LNA）设计中。
　　它也适用于振荡器、混频器和调制解调电路等高频模拟电路中。
　　由于其良好的频率响应和稳定性，该晶体管也被广泛用于业余无线电设备、对讲机、无线麦克风等消费类和专业类通信设备中。
　　此外，在测试测量仪器中，如信号发生器和频谱分析仪中，MPSH10/11也可作为关键的放大元件使用。