类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A（在TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：600A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-247
　　功耗（PD）：300W

2SK3604-01L具备多个高性能特性，使其在电源管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍然能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该MOSFET采用了高耐压设计，漏源电压可达60V，适用于中高功率的电源系统。
　　此外，其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，有助于提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　该器件还具备快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
　　2SK3604-01L还具有较强的抗热阻能力，能够在较高的工作温度下稳定运行，延长使用寿命。
　　同时，其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了设计的灵活性。

2SK3604-01L广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
　　它常见于开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于实现高效率的能量转换。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，支持高电流输出，适用于服务器电源、通信设备电源模块等场景。
　　此外，它也适用于电机控制和驱动器系统，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具控制器，提供快速响应和稳定的电流控制。
　　在LED照明系统中，2SK3604-01L可用于恒流驱动电路，实现高亮度LED的稳定供电。
　　工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器也是其典型应用领域，满足对高可靠性和高效率的严格要求。

SiHF60N100E、TK31A60D、2SK3561、FDPF60N10A、IPW60R045C6