时间:2025/12/28 15:37:37
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MPS8050S-C 是一款由MPS(Monolithic Power Systems)公司推出的高效能N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理和DC-DC转换器设计中。该器件采用先进的工艺技术,具备高耐压、低导通电阻和快速开关性能,适用于工业控制、通信设备、计算机电源以及便携式电子产品等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5.6A
导通电阻(RDS(on)):32mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TSOT23-6
MPS8050S-C 具备多项优异特性,首先其导通电阻非常低,典型值为32mΩ,能够在高电流工作条件下有效降低功率损耗,提高系统效率。
其次,该器件支持高达60V的漏极-源极电压,具有良好的耐压能力,适合中高压应用环境。
此外,MPS8050S-C的栅极驱动电压范围宽,支持±20V,增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
在封装方面,采用TSOT23-6小型封装,不仅节省空间,还便于PCB布局和散热管理。
该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,可在高温环境下稳定运行,适用于各种工业和消费类电子产品。
同时,MPS8050S-C的开关速度快,响应时间短,有助于提升电源转换效率并降低开关损耗,非常适合用于高频开关电源和同步整流电路。
MPS8050S-C 常用于DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件,也可作为负载开关、电池管理电路中的控制元件,广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、服务器电源、网络设备、工业自动化设备及LED驱动电源等场景。
此外,该MOSFET在同步整流电路中表现出色,能够有效提升电源转换效率,适用于反激式和正激式开关电源设计。
由于其小型TSOT23-6封装形式,MPS8050S-C也非常适合对空间有严格要求的便携式电子设备设计。
在通信设备中,该器件可用于电源模块的负载调节和过流保护电路,提供稳定可靠的开关控制。
它还可用于电机驱动电路、LED背光调节以及智能电表等低功耗控制系统中。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD12N10L